Главная » 2008 » Март » 31 » ZXT13N15DE6 – мощный ключевой NPN-транзистор
ZXT13N15DE6 – мощный ключевой NPN-транзистор
13:00
Рост импульсных и постоянных токов, сокращение времени переключения и миниатюризация габаритов корпуса – вот основные тенденции в области развития современных ключевых транзисторов для DC/DC-преобразователей, коммутаторов нагрузки и систем управления электродвигателями. Им в полной мере соответствует ZXT13N15DE6 – транзистор четвёртого поколения компании Zetex. Его отличительными чертами стали: ультра низкое напряжение насыщения, гарантированное матричной структурой кристалла в сочетании с передовой технологией, которое обеспечивает экстремально малые потери на переходе во включённом состоянии, что весьма существенно для низковольтовых переключающих применений.
экстремально низкое эквивалентное сопротивление открытого транзистора: 29mΩ (15V, 5A) экстремально низкое напряжение насыщения максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 15V максимальное напряжение эмиттер-база: 7.5V максимальный ток базы: 500mA пиковый импульсный ток: 15A коэффициент hFE нормируется до 15A постоянный ток коллектора: 5A время включения: 92ns (V=10V, IC=3A, IB=60mA) время выключения: 340ns (V=10V, IC=3A, IB=60mA) максимальная мощность рассеяния: 1.1W
Транзисторы производятся в корпусе SOT23–6 со специальной конфигурацией выводов (ZXT13N15DE6TA и ZXT13N15DE6TC) для температурного диапазона −40°C…+125°C.
По материалам сайтаРадио ДЕЛАНЕТ (http://radio.delanet.ru)
Регистрация
Рост импульсных и постоянных токов, сокращение времени переключения и миниатюризация габаритов корпуса – вот основные тенденции в области развития современных ключевых транзисторов для DC/DC-преобразователей, коммутаторов нагрузки и систем управления электродвигателями. Им в полной мере соответствует ZXT13N15DE6 – транзистор четвёртого поколения компании Zetex. Его отличительными чертами стали: ультра низкое напряжение насыщения, гарантированное матричной структурой кристалла в сочетании с передовой технологией, которое обеспечивает экстремально малые потери на переходе во включённом состоянии, что весьма существенно для низковольтовых переключающих применений.
